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外延及衬底

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GaAs衬底单晶

砷化镓(GaAs衬底单晶

Wafer Technology生产的GaAs单晶采用从高纯度的GaAs晶体(VGF)在低压环境下提炼生产的低位错密度GaAs单晶。

 

规格说明:

Wafer Technology公司提供砷化镓(GaAs晶锭或者切面晶锭以及腐蚀或者抛光砷化镓(GaAs)单晶,所有的砷化镓(GaAs)单晶都经过激光刻划标识从而确保每一片产品的可追溯性。

 

包装方式:

分片托盘式独立充气减震包装(确保产品运输完整性)

 

砷化镓(GaAs)单晶基片规格参数

单晶基片直径

2’’

3’’

100mm

晶向

(100)±0.1°

(100)±0.1°

(100)±0.1°

直径

50.5±0.5mm

 

76.2±0.4mm

 

100±0.5mm

 

参考面类型

EJ

EJ

EJ

US/SEMI可选

参考面定位偏差

±0.1°

±0.1°

±0.1°

主参考面长度

16±2mm

 

22±2mm

 

32.5±2.5mm

 

副参考面长度

8±1mm

 

11±1mm

 

18±1mm

 

厚度(μm

350±25μm

或者

500±25μm

625±25μm

或者

635±25μm

625±25μm

或者

635±25μm

激光标识

背面激光标识(平行于主参考面)

背面激光标识(平行于主参考面)

背面激光标识(平行于主参考面)

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