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外延及衬底

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InP衬底单晶

磷化铟(InP)衬底单晶

Wafer Technology公司生产的磷化铟(InP)单晶采用纯石英玻璃系统的提炼方法从高纯度InP晶锭中多个区域中提炼生产的高纯度InP材料。

规格说明:

Wafer Technology公司提供砷化镓(GaAs)晶锭或者切面晶锭以及腐蚀或者抛光砷化镓(GaAs)单晶,所有的砷化镓(GaAs)单晶都经过激光刻划标识从而确保每一片产品的可追溯性。

包装方式:

分片托盘式独立充气减震包装(确保产品运输完整性)

磷化铟(InP)单晶基片规格参数

单晶基片直径

2’’

3’’

晶向

(100)±0.1°

(100)±0.1°

直径

50.5±0.4mm

76.2±0.4mm

参考面类型

EJ

EJ

参考面定位偏差

±0.1°

±0.1°

主参考面长度

16±2mm

 

22±2mm

 

副参考面长度

8±1mm

 

11±1mm

 

厚度(μm

350±25μm

或者

500±25μm

625±25μm

或者

635±25μm

激光标识

背面激光标识(平行于主参考面)

背面激光标识(平行于主参考面)

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